三星正为一款全新的 M.2 NVMe Gen 4 固态硬盘 SSD 990 做最后准备，这款产品将补齐其客户端 SSD 产品线中面向“性价比”主流市场的空缺。 需要注意的是，SSD 990 不同于此前的 990 EVO Plus，后者定位于 PCIe Gen 4 时代的无缓存高性能产品。
两者之间的主要区分因素很可能在于所采用的闪存类型（QLC 对比 TLC），以及 SSD 990上更新的主控方案。 与支持 PCIe Gen 4 x4 或 Gen 5 x2 接口的 990 EVO Plus 不同，SSD 990 明确采用 PCIe Gen 4 x4 接口，进一步强调其在现有主流平台上的定位。
据悉，SSD 990 仍是一款无独立 DRAM 缓存的固态硬盘，搭载自研主控芯片。 官方资料指出，SSD 990 的写入寿命低于使用 DRAM 缓存及 3D TLC 闪存的 990 PRO，这也强化了其更可能使用 QLC 闪存的判断。 在具体耐久性方面，1 TB 版本的标称写入寿命为 400 TBW，而 2 TB 版本则为 800 TBW。
在性能指标上，SSD 990 的顺序读写速度已经进入 PCIe Gen 4 阶段的高端区间。 2 TB 型号的最高顺序读取速度可达 7250 MB/s，1 TB 型号则为最高 7150 MB/s，两种容量版本的顺序写入速度均可达 6450 MB/s。 相关规格最早曾在三星加拿大官网短暂出现，随后被移除，但已被 VideoCardz 截图保存并曝光。
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